Package Substrate

WBCSP

(Wire Bonding Chip Scale Package)

Memory용 와이어 본딩
고밀도 패키지 기판

Gold Wire로 반도체 칩과 패키지 기판을 연결하고, 반도체 Chip 크기가 기판 면적의 80% 넘는 제품을 일반적으로 WBCSP라고 합니다. Chip과 PCB 간 연결에 Gold Wire를 이용하며, 멀티 패키징이 가능하여 메모리 Chip에 주로 사용합니다. 특히, UTCSP(Ultra Thin CSP) 제품은 0.13㎜ 이하의 두께로 제품을 제작할 수 있고 Chip to PCB Connection 이 자유롭기 때문에 Multi Chip Packaging이 가능하며 동일 두께의 Package 대비 고성능을 구현할 수 있습니다.

WBCSP(Wire Bonding Chip Scale Package) 부품의 구성요소[1. Mold, 2.Tape Substrate, 3.Gold Wire, 4.Solder Ball, 5.Copper Trace], Gold Wire가 칩별로 연결된 모습.

WBCSP Lineup

Lineup by Specification

General WBCSP Road Map of HVM / Sample Product

Mass Production Sample Available
Lineup by Specification - Routing Density에 대한 내용을 제공합니다.
Routing Density Bond Finger Pitch 55P (25 / 12, Ni 3) (Mass Production) 50P (20 / 10, Ni 2) (Sample Available)
Line Width / Space mSAP
(Cu T 14)
12 / 16um(Mass Production) 10 / 15um(Sample Available)
ETS
(Cu T 13)
7 / 8um (Mass Production) 6 / 7um (Sample Available)
Via / Pad Size mSAP 50 / 90um(Mass Production) 45 / 85um(Sample Available)
ETS 40 / 65um (Mass Production) 37 / 60um (Sample Available)
SRO alignment ± 12.5um (Mass Production) ± 10um (Sample Available)
Min. SR Open size 45um (Mass Production) 40um (Sample Available)

* um은 ㎛을 의미합니다.

Lineup by Structure & Z-Height
Mass Production Sample Available
Lineup by Structure & Z-Height - Layer Count, Structure, Thickness에 대한 내용을 제공합니다.
Layer count Structure Thickness
2Layer (Mass Production) Cored (Mass Production) 80um (Mass Production) 75um
3Layer (Mass Production) Coreless (Mass Production) 80um (Mass Production) 75um
ETS (Mass Production) 120um (Mass Production) 100um
4Layer (Mass Production) Cored (Mass Production) 120um (Mass Production) 110um
Coreless (Mass Production) 110um (Mass Production) 100um
ETS (Mass Production) 160um (Mass Production) 140um
6Layer (Mass Production) Cored (Mass Production) 220um (Mass Production) 180um
Coreless (Mass Production) 200um (Mass Production) 180um

* um은 ㎛을 의미합니다.

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